时间：2025/8/6 10:39:30
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IXFN80N60P3是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高功率应用设计。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于各种高要求的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：最大0.085Ω
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷(Qg)：典型值为120nC
漏源击穿电压(BVdss)：600V
阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
IXFN80N60P3具备多项先进特性，包括低导通电阻，可减少导通损耗并提高系统效率；高耐压能力，确保在高压环境下稳定工作；良好的热稳定性，使其在高温条件下仍能维持性能；此外，该器件的封装设计优化了散热性能，提高了可靠性。
IXFN80N60P3还具有快速开关特性，可有效降低开关损耗，并且具备良好的短路耐受能力，增强了器件的鲁棒性。这些特性共同确保了该MOSFET在高功率应用中的优异表现。
IXFN80N60P3广泛应用于各种高功率电子设备中，例如电源转换器、电机驱动器、逆变器和UPS系统。它也适用于工业自动化设备、电动车充电系统以及太阳能逆变器等对性能和可靠性有高要求的应用场景。
IXFH80N60P3, IXFN90N60P3
