IXFN80N50Q 时间：2025/8/5 21:58:33 阅读：40

IXFN80N50Q是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换系统设计，适用于高电压和高电流的应用场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。该MOSFET采用了先进的平面MOSFET技术，具备出色的导通电阻与开关性能的平衡，使其在高温和高负载条件下依然能保持稳定的性能。此外，IXFN80N50Q采用TO-247封装，便于散热和安装，广泛应用于工业、通信和汽车电子等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值0.085Ω（典型值0.075Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3.5V ~ 5.5V
　　输入电容（Ciss）：约3500pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-247

特性

IXFN80N50Q具有多个关键特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其高耐压（500V）和大电流能力（80A）使其适用于多种高功率开关电路。其次，低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了整体效率，这对于追求高能效的电源系统尤为重要。此外，该MOSFET具备快速开关特性，减少了开关损耗，从而提高了系统的动态响应能力。TO-247封装设计提供了良好的散热性能，有助于维持器件在高负载下的稳定性。
　　另一个重要特性是该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能。这对于需要长时间运行的工业和通信设备尤为重要。此外，IXFN80N50Q具备较高的雪崩能量承受能力，增强了其在突发电压和电流冲击下的可靠性。该MOSFET还具有良好的栅极驱动兼容性，可与多种常见的MOSFET驱动IC配合使用，简化了设计流程。此外，其低栅极电荷（Qg）进一步优化了开关速度，降低了驱动损耗，使其适用于高频开关应用。

应用

IXFN80N50Q广泛应用于各种电力电子系统中，尤其是在需要高电压和高电流处理能力的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。在太阳能逆变器中，IXFN80N50Q可用于DC-AC转换电路，实现高效的能源转换。在电动汽车充电系统中，它也可用于功率因数校正（PFC）电路和主开关电路。由于其高可靠性和良好的热性能，该MOSFET也常用于通信电源、服务器电源和LED照明驱动器等对效率和稳定性要求较高的场合。