IXFN80N48 时间：2025/8/6 9:30:59 阅读：24

IXFN80N48 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电压和高功率应用设计。这款 MOSFET 采用了先进的平面技术，提供了高效的功率转换性能，适用于如电源转换器、电动机驱动、逆变器以及工业控制系统等应用场景。IXFN80N48 具有高耐压能力、低导通电阻和良好的热稳定性，能够在苛刻的电气和环境条件下稳定运行。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏-源电压（Vds）：480V
　　最大漏-源电流（Id）：80A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.05 欧姆
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFN80N48 具备多项技术优势和设计特点，使其在高压功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件能够承受高达 480V 的漏-源电压，适用于高电压操作环境，如工业电源和电机控制设备。此外，IXFN80N48 的 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下依然能够保持较低的工作温度。该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力和过热保护功能，增强了器件的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准的 10V 栅极驱动器进行控制，简化了设计和应用过程。
　　在动态性能方面，IXFN80N48 具有较快的开关速度，能够减少开关损耗，并提高系统的响应能力。这种特性使其非常适合用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。同时，其高电流承载能力（额定 80A）也使其能够应对高负载需求，例如在电动机控制和逆变器系统中。
　　从设计角度来看，IXFN80N48 的结构优化了电场分布，减少了漏电流，从而提高了器件的稳定性和寿命。此外，其坚固的封装设计使其在恶劣的工业环境中也能保持稳定运行。

应用

IXFN80N48 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于工业电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电动机驱动器、充电器和电池管理系统等。由于其高电压和大电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备。例如，在工业自动化系统中，IXFN80N48 可用于控制高功率负载的开关操作；在可再生能源系统中，它可用于太阳能逆变器或风力发电系统的功率转换模块；在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器或电机控制器，以提高能量转换效率并减少热量产生。
　　此外，IXFN80N48 也可用于开关电源（SMPS）的设计，特别是在需要高输入电压的应用中，如服务器电源、通信设备电源模块等。其良好的热性能和高耐压能力使其成为高频功率转换应用的理想选择。