IXFN80N10 时间：2025/8/6 0:36:46 阅读：9

IXFN80N10 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司）生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高电压的应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，适合用于电源管理、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等高功率电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：80A（连续）
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：最大 9.5mΩ（典型值约 8mΩ）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-263（表面贴装）或 TO-247（通孔）
　　功率耗散(Pd)：270W

特性

IXFN80N10 的核心优势在于其出色的导通性能和热管理能力，这得益于其先进的沟槽式MOSFET结构和优化的封装设计。该器件的低 Rds(on) 值显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，其高达 175°C 的工作温度使其能够在极端环境下稳定运行，具有良好的热稳定性和可靠性。该MOSFET还具备快速开关特性，适合高频应用，同时具备低门极电荷（Qg），进一步降低了开关损耗。
　　在保护方面，IXFN80N10 内置了雪崩能量保护能力，可以在负载突变或电感反冲等极端情况下提供一定的耐受能力。其封装设计也优化了电流承载能力，适用于高功率密度系统。TO-263 和 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，便于在不同应用场景中灵活使用。

应用

IXFN80N10 被广泛应用于工业电源系统、电动车辆的DC-DC转换器、电池管理系统、太阳能逆变器、电机驱动电路、UPS不间断电源、焊接设备以及高功率LED照明系统等场景。由于其高效率和高可靠性，特别适合要求高电流和高电压的功率转换设备。
　　例如，在电动车的电机控制系统中，IXFN80N10 可以作为主开关器件用于控制高功率电机的运行；在太阳能逆变器中，它可用于高效的DC-AC转换；在工业自动化系统中，该器件可用于驱动高功率负载如电磁阀、继电器和电动机。