时间：2025/12/29 17:10:30
阅读：11
IXFN79N20是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备较高的电流处理能力和较低的导通电阻，适用于电源转换器、电机驱动、DC-DC转换器以及各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：79A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为17mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：约130nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-247
IXFN79N20具有多项优异的电气特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
其次，该器件具备较高的电流承受能力，最大漏极电流可达79A，适用于高功率密度设计。
此外，IXFN79N20的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，提高整体系统性能。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和高温工作能力，能够在极端环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
其TO-247封装形式不仅便于安装和散热，还具有良好的电气隔离性能，确保安全可靠的工作。
IXFN79N20广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、UPS不间断电源系统、太阳能逆变器、工业自动化设备及电动汽车充电系统等。由于其优异的电气性能和高可靠性，IXFN79N20特别适合用于需要高效能、高稳定性的功率转换场合。
IXFH79N20P, IXFX79N20T, IRFP4668, STP79N20F7AG
