IXFN75N10E 时间：2025/8/5 21:56:12 阅读：25

IXFN75N10E是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高电流、高电压的功率转换应用，如电源、电机驱动、DC-DC转换器、逆变器和电池管理系统中。该MOSFET采用TO-247封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于需要高效率和高性能的电路设计中。IXFN75N10E的漏源电压（VDS）为100V，漏极电流（ID）在25°C下可达75A，适用于高功率密度和高开关频率的应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：75A @ 25°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ
　　栅极电荷（Qg）：典型值约90nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

IXFN75N10E具备多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该MOSFET能够在高电流下保持较低的压降，从而减少热量产生，延长器件寿命。
　　其次，IXFN75N10E具有高电流承载能力和良好的热稳定性。该器件采用TO-247封装，具备较大的散热面积，有助于快速散发热量，确保在高温环境下依然能够稳定工作。此外，该MOSFET的封装结构设计优化了内部引线电感，减少开关过程中的电压尖峰，提高开关性能和可靠性。
　　该MOSFET还具备出色的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。这种特性使其非常适合用于电机控制、电源转换和工业自动化等需要频繁启停或负载突变的场景。
　　此外，IXFN75N10E的栅极驱动特性较为温和，适合与常见的MOSFET驱动器配合使用。其栅极电荷（Qg）相对较低，使得开关速度较快，同时降低了驱动损耗。该器件的开关损耗在高频工作条件下表现良好，适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器和逆变器设计。

应用

IXFN75N10E广泛应用于多个领域，特别是在高功率和高效率要求的电路设计中。其主要应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该MOSFET还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电动汽车的充电管理系统中。