您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFN74N100X

IXFN74N100X 发布时间 时间:2025/8/5 21:20:57 查看 阅读:14

IXFN74N100X 是一款由 Littelfuse(原 International Rectifier)推出的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流、高电压的应用场景。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高效率的特点,适用于工业电源、电动工具、电池管理系统(BMS)和电机控制等场合。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):74A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大 12.8mΩ(在 Vgs=10V)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V ~ 3.8V(在 Id=250μA)
  最大功率耗散(Ptot):220W
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFN74N100X 的核心特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得在大电流应用中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,在保持高性能的同时,确保了器件的稳定性和可靠性。
  该 MOSFET 支持高达 100V 的漏源电压,适用于多种中高功率应用。其最大漏极电流为 74A,在实际使用中能够满足大多数电机驱动、电源转换和电池管理应用的需求。此外,该器件的栅极阈值电压范围较宽(2.1V ~ 3.8V),使其兼容多种驱动电路设计。
  IXFN74N100X 还具有出色的热性能,封装形式为 TO-247,这种封装有助于快速散热,提升器件在高温环境下的稳定性。该器件的工作温度范围为 -55°C ~ 175°C,适用于各种恶劣的工业环境。
  值得一提的是,该 MOSFET 内部结构优化,具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行,从而提高系统的整体可靠性。

应用

IXFN74N100X 主要应用于高功率密度和高效率要求的电子系统中。例如,在工业电机控制、逆变器、直流电源转换器以及电池管理系统(BMS)中,该 MOSFET 可以作为主开关元件,实现高效的能量转换与控制。
  在电动工具和电动车应用中,该器件可以用于驱动大功率电机,提供稳定的输出性能。此外,该器件也广泛应用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统中。
  由于其良好的热性能和抗雪崩能力,IXFN74N100X 也非常适合用于需要长时间运行和高可靠性的工业设备中。在电源管理模块中,该 MOSFET 可用于实现高效的同步整流,提高整体系统的能效表现。

替代型号

IXFN74N100P, IXFN64N100X, IXFN80N100X

IXFN74N100X推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFN74N100X参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥728.21000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)74A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)66 毫欧 @ 37A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)425 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)17000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1170W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 供应商器件封装SOT-227B
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC