时间：2025/8/6 1:41:37
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IXFN70N120SK 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，广泛应用于高功率电子设备中，如逆变器、电机驱动器和电源系统。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性，使其在高电压和高电流应用中表现出色。
类型：N 沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压：1200V
最大集电极电流：70A
最大功耗：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
输入电容：2800pF
短路耐受能力：5μs
IXFN70N120SK 具备优异的导通和开关性能，其低饱和压降（Vce_sat）可显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟道技术，提供更快的开关速度和更低的开关损耗。此外，它具备较高的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供可靠的保护。该 IGBT 还具有良好的热稳定性和抗过载能力，适合在高温环境中运行。
该模块采用 TO-247 封装，便于安装和散热管理，适用于多种高功率应用场景。其高可靠性设计使其在工业电机控制、可再生能源系统（如太阳能逆变器）和焊接设备中得到广泛应用。
IXFN70N120SK 主要用于高功率逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、感应加热设备和太阳能逆变系统。它也可用于工业自动化控制、电焊机和电动汽车充电设备等对功率器件性能要求较高的场合。由于其优异的开关特性和高可靠性，IXFN70N120SK 在电力电子系统中常用于替代传统的双极型晶体管和部分 MOSFET 器件。
IXFN64N120SK, IXFH70N120, FF70R12KS4, IRG4PC70UD
