IXFN66N50Q2 时间：2025/8/6 11:28:44 阅读：15

IXFN66N50Q2是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高性能功率转换应用而设计。该器件采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能和电气特性，适用于工业电源、逆变器、电机驱动和UPS系统等高要求的电子设备中。其主要特点是高电流承载能力、低导通电阻以及优异的雪崩能量耐受能力，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：66A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：500V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.145Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247
　　最大功耗（PD）：250W

特性

IXFN66N50Q2具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其漏极电流高达66A，能够在大负载条件下提供稳定的导通性能。其次，漏极-源极击穿电压为500V，适用于中高功率开关电源和逆变器设计。该器件的导通电阻RDS(on)最大为0.145Ω，在同类产品中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，IXFN66N50Q2具有出色的雪崩能量耐受能力，能够在过压或瞬态条件下提供更高的可靠性，防止器件损坏。其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上，确保在高功率应用中保持稳定的工作温度。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±30V，兼容多种驱动电路，且具备良好的抗干扰能力。其工作温度范围从-55°C到150°C，适用于各种严苛环境条件，包括工业和电力电子设备中的高温应用。

应用

IXFN66N50Q2广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其特别适用于需要高效率和高可靠性的功率转换电路。此外，该器件也可用于电池管理系统、充电器和电源模块设计中，提供稳定且高效的功率控制。