时间：2025/8/5 23:56:30
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IXFN61N60是一款由IXYS公司制造的高电压N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高电压和高效率的电源应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和高耐用性，适用于开关电源、电机控制、逆变器和UPS系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：61A
漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.21Ω
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
IXFN61N60具有低导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
它具备高耐压特性，漏极-源极击穿电压可达600V，适合高压应用环境。
该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够在高功率条件下稳定运行。
此外，IXFN61N60还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
其栅极驱动电压范围较宽，可在±20V范围内稳定工作，适用于多种驱动电路设计。
器件的可靠性高，通过了工业级标准测试，适合在严苛环境中使用。
IXFN61N60广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动和控制电路、逆变器和不间断电源（UPS）系统。
在工业自动化和电力电子领域，该器件常用于高电压、高电流的功率开关应用。
还可用于高频电源转换器、LED照明驱动电源和新能源系统中的功率调节电路。
IXFH61N60P, IRFP460LC, STW15NK60Z, FCP61N60
