时间：2025/8/6 1:16:37
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IXFN55N48 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高电压和高功率的场合。这款 MOSFET 设计用于提供高效、可靠的功率处理能力，适用于工业电源、电机控制、电源转换系统以及其他需要高功率密度的电子设备中。IXFN55N48 采用了先进的平面技术，确保了良好的导通和开关性能，并具有较强的热稳定性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：55 A
最大漏源电压（VDS）：480 V
最大栅源电压（VGS）：±30 V
导通电阻（RDS(on)）：0.18 Ω @ VGS = 10 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXFN55N48 是一款性能优越的高功率 MOSFET，其主要特性包括出色的导通和开关性能、低导通电阻以及高耐压能力。这款 MOSFET 的低 RDS(on) 值降低了导通损耗，从而提高了整体效率，特别适合用于高频开关应用。此外，该器件具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，确保系统的可靠性和长寿命。
该 MOSFET 还采用了先进的平面制造工艺，提高了器件的抗雪崩能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定。其高耐压能力（480 V）使其适用于高电压电源转换和电机控制应用。此外，IXFN55N48 的封装形式为 TO-247，便于安装在散热器上，进一步优化散热性能，提高系统的整体效率和稳定性。
该器件还具备良好的栅极驱动特性，可在较宽的 VGS 范围内稳定工作，同时降低了驱动电路的设计复杂度。其 ±30 V 的最大栅源电压允许在各种控制电路中灵活使用，提高了设计的灵活性和适应性。这些特性使 IXFN55N48 成为工业电源、电机驱动器、逆变器和功率转换系统等高功率应用的理想选择。
IXFN55N48 广泛应用于高功率电子系统，如工业电源、电机控制器、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及开关电源（SMPS）等。其高耐压和低导通电阻特性使其在需要高效率和高可靠性的电力电子设备中具有重要地位。此外，该器件也适用于电动车辆的功率管理系统、电池充电器和高功率 LED 照明驱动电路等新兴应用领域。
IXFH55N48, IXFH55N48P, IXFN44N50, IRFP4868
