时间：2025/8/6 10:40:52
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IXFN52N90P是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的功率MOSFET晶体管，属于高压功率MOSFET系列。该器件专为高电压、高电流应用设计，适用于工业电源、开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和功率转换系统等场景。作为N沟道增强型MOSFET，IXFN52N90P具备快速开关速度、低导通电阻以及良好的热稳定性等特点，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：900V
漏极-栅极电压（VDG）：900V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：52A（在TC=25°C）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω（最大0.18Ω）
阈值电压（VGS(th)）：3.0V 至 5.0V
漏电流（IDSS）：100μA（在VDS=900V时）
IXFN52N90P具有多项优异的电气和热性能，适用于高电压和高功率应用场景。首先，其额定漏极-源极电压高达900V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源转换器和逆变器等应用。其次，该MOSFET的连续漏极电流可达52A，在适当的散热条件下可支持较高的负载能力，满足大功率系统的需求。
该器件的导通电阻（RDS(on)）典型值为0.15Ω，最大不超过0.18Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，IXFN52N90P具备良好的热管理能力，最大功耗为300W，能够在较高的工作温度下稳定运行，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性广泛。
在开关特性方面，IXFN52N90P具有较快的开关速度，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高整体效率。同时，该器件的阈值电压（VGS(th)）在3.0V至5.0V之间，适用于标准MOSFET驱动电路。
IXFN52N90P采用TO-247AC封装，提供良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级应用环境。该封装形式也便于安装散热片，进一步提升散热效率。
IXFN52N90P广泛应用于需要高电压和高功率处理能力的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关元件，用于高效能电源转换。在电机控制和逆变器系统中，IXFN52N90P可用于桥式拓扑结构，提供高效的功率输出控制。此外，该器件也适用于工业自动化设备、UPS系统、太阳能逆变器以及高压DC-DC转换器等应用。
由于其高耐压能力和良好的热管理性能，IXFN52N90P特别适合用于高压功率因数校正（PFC）电路和高压整流器电路中。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频应用中表现出色，能够有效降低能量损耗，提高系统整体效率。
IXFN52N90Q, IXFN52N80P, IXFN44N90P
