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IXFN52N100X 发布时间 时间:2025/8/6 8:22:51 查看 阅读:10

IXFN52N100X 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高电压、高电流应用,例如电源转换器、电机控制、开关电源(SMPS)和工业自动化系统。它具有优异的导通性能和快速的开关特性,能够在高频率下高效运行。该 MOSFET 采用 TO-247 封装,具有良好的热管理和可靠性,适用于需要高效率和高稳定性的场合。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):1000 V
  漏极电流(ID):52 A(在 25°C)
  栅极阈值电压(VGS(th)):约 4.5 V(范围 3.5 V ~ 6.5 V)
  导通电阻(RDS(on)):约 0.22 Ω(最大值)
  功率耗散(PD):300 W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFN52N100X 的主要特性之一是其高电压和大电流承载能力,使其非常适合用于高压电源管理应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗并提高系统效率。其栅极阈值电压相对稳定,使得驱动电路设计更为简单。此外,IXFN52N100X 具有快速的开关速度,能够减少开关损耗,在高频应用中表现优异。
  该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,TO-247 封装提供优良的散热性能,有助于延长器件的使用寿命并提高系统可靠性。其内部结构采用了先进的制造工艺,能够有效抑制短路和过载情况下的热失效风险,从而增强系统的安全性。
  IXFN52N100X 在设计上优化了电磁干扰(EMI)性能,降低了开关过程中产生的噪声,适用于对电磁兼容性要求较高的工业和通信设备。此外,该器件具有良好的并联能力,便于在高功率应用中使用多个器件并联以提升整体性能。

应用

IXFN52N100X 广泛应用于各类高功率电子系统中,包括但不限于:
  ? 开关电源(SMPS):用于高效 DC-DC 和 AC-DC 转换器中,提供高效率的能量转换。
  ? 电机驱动和变频器:用于工业电机控制和逆变器系统,提供高电流开关能力。
  ? 太阳能逆变器:在光伏系统中作为功率开关,将直流电转换为交流电。
  ? 不间断电源(UPS):用于高效能电源转换和负载管理。
  ? 电力电子变换器:如整流器、斩波器和功率因数校正(PFC)电路等。
  由于其高可靠性和优异的电气性能,IXFN52N100X 也常用于通信设备、医疗电源和工业自动化设备中。

替代型号

IXFN52N100P, IXFH52N100X, IXFN44N100Q

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IXFN52N100X参数

  • 现有数量0现货140Factory查看交期
  • 价格1 : ¥440.50000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)44A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)125 毫欧 @ 26A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)6V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)245 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)6725 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)830W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 供应商器件封装SOT-227B
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC