IXFN50N80Q2 时间：2025/12/24 19:22:23 阅读：8

IXFN50N80Q2 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司生产）制造的高电压、大电流 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装，适用于高功率开关应用。该 MOSFET 的最大漏源电压（VDS）为 800V，连续漏极电流（ID）可达 50A，适合用于需要高效能和高可靠性的电源系统，如工业电源、逆变器、电机驱动器和电源管理设备。该器件的封装设计确保了良好的热管理和电气性能，使其能够在高温环境下稳定工作。

参数

漏源电压 VDS：800V
　　漏极电流 ID（连续）：50A
　　栅源电压 VGS：±30V
　　导通电阻 RDS(on)：典型值 0.165Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功耗 PD：300W

特性

IXFN50N80Q2 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的功率转换系统。其高耐压能力（800V）使得该器件能够应用于高电压输入环境，如工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电机控制电路。此外，该 MOSFET 的低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高系统效率，同时降低温升，延长器件寿命。
　　该器件采用先进的沟槽栅场效应晶体管（TrenchFET）技术，提升了导通特性和开关速度，减少了开关损耗，使得其在高频开关应用中表现优异。此外，其 ±30V 的栅极电压耐受能力增强了器件在高噪声环境下的抗干扰能力，提高了系统稳定性。
　　在封装方面，TO-247 封装具备良好的热传导性能，便于散热，适合用于高功率应用场景。该封装还具有较低的寄生电感，有助于减少开关过程中的电压震荡，提升系统的可靠性。
　　IXFN50N80Q2 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在负载突变或异常工作条件下保持稳定运行，从而提高系统的安全性和耐用性。这使得该器件在电机驱动、变频器等需要承受较大机械应力的场合中尤为适用。

应用

IXFN50N80Q2 主要用于高功率、高电压的电力电子系统中。典型应用包括工业电源、高频开关电源（SMPS）、直流-交流逆变器、电机控制和变频器、不间断电源（UPS）、LED 照明驱动器、太阳能逆变器以及电池管理系统等。此外，由于其良好的热管理和高耐压特性，该器件也常用于需要长时间连续工作的自动化设备、电力调节系统和高可靠性工业控制装置中。