IXFN50N80 时间：2025/8/6 3:56:06 阅读：8

IXFN50N80是一款由IXYS公司生产的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率开关应用。该器件采用N沟道结构，设计用于高电压和高电流操作，适用于电源转换器、电机驱动器和逆变器等应用。IXFN50N80具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：800V
　　最大连续漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（典型值）
　　最大功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFN50N80 MOSFET具备多个优良的电气特性，使其适用于高功率密度设计。其800V的漏极电压能力使其适用于高电压电源应用，如开关电源（SMPS）和逆变器。该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，IXFN50N80具有较高的电流处理能力，最大连续漏极电流可达50A，适用于大功率负载的驱动。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和耐久性，能在高温环境下可靠运行，适合工业级应用。其TO-247封装形式便于安装在散热器上，提高散热效率。此外，IXFN50N80的快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电机控制电路。

应用

IXFN50N80广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、DC-DC转换器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该MOSFET也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。由于其高电压和高电流能力，IXFN50N80特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。