时间：2025/8/5 21:53:26
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IXFN50N60UI是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。该器件采用TO-247封装，具备良好的导热性和电气性能，适合用于工业电机控制、电源转换、焊接设备以及电动工具等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：50A
最大漏-源电压：600V
导通电阻：0.135Ω（最大）
栅极阈值电压：3.5V~5V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-247
IXFN50N60UI具备低导通电阻，能够显著减少功率损耗，提高系统效率。
该器件采用先进的平面技术，具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
其高击穿电压特性使其适用于高压电路设计，确保电路的可靠性。
此外，IXFN50N60UI具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提高整体系统性能。
该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适合在恶劣环境中使用。
IXFN50N60UI广泛应用于工业自动化设备、电源管理系统、电机驱动器、焊接机、不间断电源（UPS）、电动工具和照明控制系统等高功率场合。
它还可以用于直流-直流转换器、逆变器以及交流-直流电源供应器中，作为关键的功率开关元件，提供高效的能量转换解决方案。
由于其高可靠性和耐用性，也常用于汽车电子系统和可再生能源系统，如太阳能逆变器和风能转换系统。
STP55NF06, IRF540N, FDP50N60, FQA50N60
