时间：2025/8/6 1:51:05
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IXFN50N49是一种高功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源转换和功率控制领域。该器件由IXYS公司制造，采用先进的MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：490V
最大漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：0.14Ω
最大功率耗散（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXFN50N49具有多种优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，高开关速度使得该器件适用于高频开关应用，降低了开关损耗。此外，器件的热稳定性良好，能够在高温环境下稳定工作。
在可靠性方面，IXFN50N49具备较高的短路耐受能力，能够在极端条件下保持正常运行。封装设计提供了良好的散热性能，延长了器件的使用寿命。
该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低驱动功率。同时，其漏极-源极击穿电压高达490V，确保在高压应用中的稳定性和安全性。
IXFN50N49常用于各种高功率电子系统，包括电源供应器、DC-DC转换器、逆变器和马达控制电路。它也适用于工业自动化设备、UPS系统以及太阳能逆变器等高要求的功率控制场合。
IXFH50N49, IRFP460, IXFN44N50
