时间：2025/8/6 6:24:31
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IXFN50N25是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产。该器件适用于高功率开关应用，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和逆变器等电路设计。IXFN50N25采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于工业级应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：0.058Ω（最大值）
栅极电压（VGS）：±20V
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFN50N25功率MOSFET具有优异的导通和开关性能，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（250V）使其适用于多种高电压应用场景。此外，IXFN50N25的TO-247封装设计有助于提高散热效率，确保在高负载条件下的稳定运行。其高栅极绝缘能力（±20V）提供了更强的抗干扰能力，避免因过高的栅极电压而导致损坏。此外，该MOSFET具有快速开关响应能力，适用于高频开关电源设计。
IXFN50N25广泛应用于高功率电源系统，如DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备以及各类开关电源模块。此外，它也适用于需要高可靠性和高效率的电力电子系统，如太阳能逆变器、储能系统和高频电源转换器。
IRF50N25D, STP55NF25, FDP50N25, FQA50N25
