您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFN48N60P

IXFN48N60P 发布时间 时间:2023/11/28 17:20:56 查看 阅读:150

类别:半导体模块

目录

概述

类别:半导体模块
家庭:MOSFETs
系列:PolarHV?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:140 毫欧 @ 4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :8860pF @ 25V
功率 - 最大:625W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SOT-227, miniBLOC
包装:管件

IXFN48N60P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFN48N60P资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXFN48N60P参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列PolarHV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8860pF @ 25V
  • 功率 - 最大625W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件