时间：2025/8/6 12:32:08
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IXFN48N50Q是一款由Littelfuse公司生产的高电压、高电流N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换和电机控制应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。作为一款TO-247封装的功率MOSFET，IXFN48N50Q广泛应用于工业电源、逆变器、直流电机控制、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高功率场合。其具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：48A
导通电阻（RDS(on)）：0.11Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4V（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
最大功耗（PD）：300W
输入电容（Ciss）：2600pF（典型值）
IXFN48N50Q的核心特性之一是其出色的导通性能与低导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，实现了优异的热稳定性和更高的功率密度。此外，IXFN48N50Q具有出色的短路耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
该MOSFET具备快速的开关速度，降低了开关损耗，并支持高频工作，适用于高效率电源转换系统。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件的可靠性，防止在电感负载切换过程中因电压尖峰导致的损坏。
TO-247封装形式提供了良好的散热性能，使得IXFN48N50Q在高电流和高功率应用中依然能够保持稳定的热管理。此外，该器件还具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力，适用于各种工业和车载环境。
IXFN48N50Q适用于多种高功率电子系统，包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器、感应加热设备、太阳能逆变器、电动车充电器、功率因数校正（PFC）电路以及DC-DC转换器等。其高耐压和大电流能力使其成为高效率开关电源和功率控制系统的理想选择。
IXFN44N50Q, IXFN50N60Q, IXFN40N60P, STP48N50UFD
