时间：2025/8/6 0:07:56
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IXFN47N50是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件设计用于高功率应用，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于电源、逆变器、电机控制和工业自动化等需要高效开关的场合。IXFN47N50采用了先进的平面技术，确保了器件的高可靠性和长寿命。该MOSFET采用TO-247封装形式，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：47A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.075Ω（典型值为0.06Ω）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
功率耗散（Pd）：300W
栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
IXFN47N50具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其高漏源击穿电压（500V）使其能够在高电压环境下稳定工作，适用于多种高压电源系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的连续漏极电流能力达到47A，能够支持高功率负载的应用需求。IXFN47N50具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内工作，适应各种恶劣环境条件。TO-247封装提供了良好的散热性能，确保器件在高功率运行时保持较低的工作温度。该MOSFET还具有快速开关能力，栅极电荷（Qg）较低，从而减少了开关损耗，提高了系统的工作频率和响应速度。此外，IXFN47N50在制造过程中采用了高质量的材料和先进的封装技术，确保了其在长期运行中的稳定性和可靠性。
IXFN47N50广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。例如，它可用于开关电源（SMPS）中的功率转换部分，作为主开关器件，提供高效能和高稳定性的电源转换。在逆变器系统中，如太阳能逆变器或UPS不间断电源，IXFN47N50可以用于将直流电转换为交流电，实现高效的能量转换。此外，该MOSFET也适用于电机控制应用，如变频器和伺服驱动器，用于控制电机的转速和扭矩。在工业自动化设备中，IXFN47N50可用于高频开关电路，提供稳定的功率输出。它还可用于电动汽车充电设备、电焊机和工业加热设备等高功率应用中。
IXFN44N50，IXFN50N50，IXTH48N50，IXTP48N50
