时间：2025/8/6 5:19:22
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IXFN43N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产，适用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高电流容量和高耐用性，适合用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及各种工业和消费类电子设备。IXFN43N60封装在TO-247封装中，便于安装和散热，确保在高功率运行下的稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：43A（Tc=25℃）
漏极脉冲电流(Idm)：172A
栅极阈值电压(Vgs(th))：4V（最大5V）
导通电阻(Rds(on))：0.065Ω
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-247
IXFN43N60具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力达到600V，使其适用于中高功率电源系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）仅为0.065Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达43A，并能承受高达172A的脉冲电流，适合高负载应用场景。该器件采用TO-247封装，散热性能良好，可确保在高功率运行下的稳定性。同时，其栅极驱动电压范围宽泛，通常为10V至20V，便于与多种驱动电路兼容。IXFN43N60还具备快速开关特性，减少开关损耗，提升整体系统性能。最后，该器件具有良好的热稳定性和抗短路能力，适用于各种严苛的工作环境。
IXFN43N60广泛应用于多个领域，包括但不限于：工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机控制、功率因数校正（PFC）电路、太阳能逆变器以及各种高功率电子设备。其高效、高可靠性的特点使其成为现代电源系统设计中的理想选择。
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