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IXFN38N80Q2 发布时间 时间:2025/8/6 12:25:02 查看 阅读:11

IXFN38N80Q2 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)制造的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压、高电流的开关应用。该器件采用 TO-247 封装,具有低导通电阻、高耐压能力及优异的热稳定性,适用于工业电源、电机控制、逆变器、UPS 系统以及太阳能逆变器等高功率场合。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流:38A
  最大漏-源电压:800V
  导通电阻(Rds(on)):0.21Ω(最大)
  栅极电压范围:±30V
  耗散功率:200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFN38N80Q2 具备一系列高性能特性,确保其在严苛环境下的稳定运行。首先,其漏-源电压高达 800V,能够在高压环境中保持良好的开关性能,适用于需要高耐压能力的电力电子设备。其次,该 MOSFET 的导通电阻仅为 0.21Ω,有助于降低导通损耗,提高整体效率。
  此外,IXFN38N80Q2 采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,能够承受较高的功率耗散(最大 200W),适用于高功率密度设计。该器件还具备优异的热稳定性和短路耐受能力,使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  其栅极电压范围为 ±30V,允许使用标准驱动电路进行控制,兼容多种 PWM 控制器和驱动器。此外,该器件的快速开关特性降低了开关损耗,提高了系统效率,特别适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、逆变器和电机控制电路。
  该 MOSFET 还通过了工业级可靠性测试,适用于各种恶劣工作环境,包括高温、高湿和高振动条件,确保长期稳定运行。

应用

IXFN38N80Q2 主要应用于高功率电力电子设备中,如工业电源、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动器、电焊机和高频开关电源。其高耐压、低导通电阻和高功率处理能力,使其特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力转换系统。
  在太阳能逆变器中,该 MOSFET 可用于 DC-AC 转换电路,将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。在 UPS 系统中,它可用于 DC-AC 逆变电路,确保在主电源故障时能够快速切换至备用电源。
  在电机控制应用中,IXFN38N80Q2 可用于 H 桥电路,实现电机的正反转控制和调速功能。其快速开关特性也有助于减少电磁干扰(EMI)和提高系统效率。
  此外,该器件还可用于 DC-DC 转换器、电焊机、感应加热系统和高功率 LED 驱动器等应用中,提供高效的功率控制和稳定的运行性能。

替代型号

STF30N80, FCP38N80A, SPW38N80CF3, IRF3808

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IXFN38N80Q2参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C38A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs190nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8340pF @ 25V
  • 功率 - 最大735W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件