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IXFN38N100P 发布时间 时间:2025/8/6 12:53:36 查看 阅读:29

IXFN38N100P 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于工业电源、逆变器、电机控制以及开关电源(SMPS)等场合。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适合于高效率、高可靠性的功率转换系统。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1000V
  最大漏极电流(Id):38A
  导通电阻(Rds(on)):典型值 0.19Ω(在 Vgs=10V 时)
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247
  功率耗散(Ptot):典型值 300W

特性

IXFN38N100P 具备多项优良的电气和热性能,适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。
  首先,该 MOSFET 的最大漏源电压达到 1000V,使其能够承受高压环境下的工作条件,适用于高压电源转换和电机驱动系统。其低导通电阻(Rds(on))为 0.19Ω,能够在高电流下保持较低的导通损耗,从而提高系统的整体效率。
  其次,该器件采用 TO-247 封装,具备良好的散热能力,有助于在高功率应用中维持较低的工作温度,提高器件的稳定性和寿命。此外,该封装形式也便于安装在散热片上,进一步提升热管理能力。
  IXFN38N100P 还具有较高的栅极驱动兼容性,支持标准的 10V 栅极驱动电压,并可承受高达 ±20V 的栅极电压,提高了其在不同驱动电路中的适用性。同时,该器件的热阻较低,有助于在高温环境下保持稳定运行。
  另外,该 MOSFET 设计上采用了先进的平面技术,提高了器件的短路和雪崩耐受能力,增强了其在极端工作条件下的可靠性。这使得 IXFN38N100P 在电源逆变器、UPS、焊接设备和工业电机驱动器中表现优异。

应用

IXFN38N100P 主要应用于需要高压、高电流能力的功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):适用于高压输入的 AC-DC 转换器,提供高效率和高可靠性。
  2. 逆变器与 UPS 系统:用于直流到交流的转换,支持高电压和大电流输出,适用于不间断电源系统。
  3. 电机控制:在工业电机驱动器中作为功率开关,支持高速开关和高负载能力。
  4. 焊接设备:用于可控整流和功率调节,满足高电流和高电压的工作需求。
  5. 太阳能逆变器:作为 DC-AC 转换的关键元件,提升系统的整体转换效率。
  6. 工业自动化设备:用于高功率负载的控制与切换,如加热器、电磁阀等。
  该器件的高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力,使其在各种高功率应用场景中具备优异的性能表现。

替代型号

IXFN34N100P, IXFN44N100P

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IXFN38N100P参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C38A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫欧 @ 19A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs350nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds24000pF @ 25V
  • 功率 - 最大1000W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件