IXFN36N110P 时间：2025/8/6 8:27:11 阅读：12

IXFN36N110P是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高电压、高电流的电力电子系统中。该器件具备优异的导通性能和热稳定性，适合用于如电源转换器、电机驱动、工业自动化和可再生能源系统等高性能要求的应用。IXFN36N110P采用了先进的平面技术，确保了在高压条件下仍具有良好的开关特性和耐用性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：1100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：36A（连续）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247AC
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.13Ω
　　功率耗散(Pd)：200W
　　输入电容(Ciss)：约2400pF
　　上升时间(tr)：约48ns
　　下降时间(tf)：约25ns

特性

IXFN36N110P具有多个显著的技术特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET具备高达1100V的漏源击穿电压，使其适用于高压电源转换和电机控制应用。其次，36A的连续漏极电流能力确保其能够承受高负载工作条件，而不会出现明显的性能下降。此外，该器件的导通电阻Rds(on)仅为0.13Ω，降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
　　IXFN36N110P采用了TO-247AC封装，具备良好的热管理和散热能力，适合在高功率密度设计中使用。该封装形式也便于安装在散热器上，以提高散热效率。其输入电容Ciss约为2400pF，使得开关速度适中，能够在高频开关应用中保持稳定性能。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，具备较强的抗干扰能力和稳定性。同时，其工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其具备良好的环境适应性，可在工业级温度条件下稳定运行。

应用

IXFN36N110P适用于多种高功率电子系统，包括DC-DC转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电机驱动控制系统。在工业自动化领域，该MOSFET可作为功率开关元件，用于控制高电压设备的启停和调速。在新能源应用中，如光伏逆变器和电动汽车充电系统，IXFN36N110P能够提供高效、可靠的功率控制解决方案。
　　此外，该器件也可用于高频开关电源设计，如开关电源（SMPS）和LED照明驱动器，其低导通电阻和良好的热管理能力有助于提升系统效率并减少散热设计的复杂性。在电机控制应用中，IXFN36N110P可用于实现高性能的脉宽调制（PWM）控制，提供平稳的电机运行和高效能转换。