时间：2025/8/6 1:11:42
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IXFN35N50是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高电压和高电流的应用。该器件采用了先进的平面DMOS技术，具备低导通电阻、高耐压能力和卓越的热稳定性。IXFN35N50通常应用于电源转换、电机控制、逆变器和各种工业电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：35A
最大漏-源电压：500V
导通电阻（Rds(on)）：0.12Ω
栅极电压范围：±20V
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
IXFN35N50 MOSFET具有多个关键特性，使其在高性能功率电子系统中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.12Ω，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于需要高效率的电源转换器和逆变器来说至关重要。
其次，该器件的最大漏极电流为35A，最大漏-源电压为500V，使其适用于中高功率应用。这种高电流和高电压的承受能力使得IXFN35N50可以在电机驱动、工业自动化和不间断电源（UPS）等场景中稳定工作。
此外，IXFN35N50采用了TO-247AC封装，具有良好的热管理和散热性能。这种封装形式广泛用于功率电子器件中，能够有效地将热量传导至散热器，确保器件在高负载条件下依然保持较低的工作温度，从而延长使用寿命。
该MOSFET的栅极电压范围为±20V，具有较高的栅极电压容忍度，有助于防止因栅极过压而造成的损坏。同时，该器件的功率耗散能力为200W，使其能够在较高的功率环境下可靠运行。
最后，IXFN35N50具有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），适用于极端环境条件下的应用，例如工业控制、电力电子和汽车电子系统。
IXFN35N50广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、交流-直流整流器、电机控制驱动器和逆变器等。由于其高电压和高电流能力，该器件特别适合用于工业电机控制和自动化系统中的功率转换模块。此外，IXFN35N50也可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率开关电路，以实现高效的能量转换。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统和电动车辆的功率管理模块。由于其出色的热性能和稳定性，IXFN35N50也常用于不间断电源（UPS）系统中，以提供可靠的电力供应。
STF35N50, IRFP460, FGA25N50, FDP35N50
