IXFN34N100 时间：2025/8/6 12:11:16 阅读：11

IXFN34N100是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率和高电压的应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种工业控制、电源转换和电机驱动等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压：1000V
　　连续漏极电流：34A
　　栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.065Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFN34N100 MOSFET采用了先进的平面技术，使其具备了较低的导通电阻和更高的效率。该器件的栅极电荷量较低，使得其在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗。此外，其独特的设计和制造工艺确保了良好的热性能和稳定性，即使在极端工作条件下也能保持可靠运行。
　　该MOSFET的封装形式为TO-247，这种封装方式具有优良的散热性能，适用于需要高效散热的高功率应用。同时，IXFN34N100具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持器件的安全运行，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　在电气特性方面，该器件的栅极-源极电压范围为±20V，确保了其在不同驱动条件下的稳定性。其漏极-源极击穿电压高达1000V，能够满足高电压应用的需求。此外，IXFN34N100的连续漏极电流为34A，适用于需要较高电流承载能力的电路设计。

应用

IXFN34N100 MOSFET广泛应用于各种高功率和高电压的电子系统中。例如，在工业控制领域，它可以用于电机驱动和变频器的设计；在电源转换系统中，该器件可以作为主开关元件，实现高效的能量转换；此外，它还可以用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及各种高电压DC-DC转换器的设计中。其优良的性能和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。