类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：900V
　　最大漏极电流 Id：29A
　　最大功耗 Pd：300W
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.18Ω
　　栅极电压 Vgs：±30V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

IXFN29N90 MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于高功率应用。首先，它的漏源电压高达 900V，能够承受高压应力，适用于高电压输入环境。其次，最大漏极电流为 29A，使得该器件能够处理较大的负载电流，适用于高功率输出的系统。
　　该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 仅为 0.18Ω，这意味着在导通状态下的功率损耗较低，有助于提高整体系统的效率。此外，其最大功耗为 300W，结合 TO-247 封装良好的热管理能力，使得该器件在高温环境下依然能够稳定运行。
　　IXFN29N90 还具有较高的栅极电压耐受能力（±30V），在驱动电路设计时具有较大的灵活性，能够适应多种驱动电路拓扑。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于恶劣的工业环境，如高温或低温工作条件下的应用。
　　该器件的快速开关特性也使其适用于高频开关电路，如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动器。其低寄生电容和快速恢复二极管特性能够减少开关损耗，提高系统效率。

IXFN29N90 MOSFET 广泛应用于多个高功率领域。首先，在开关电源（SMPS）中，该器件用于主开关元件，能够高效地处理高电压和大电流，提升电源转换效率。其次，在工业电机控制和直流电机驱动系统中，IXFN29N90 可用于 PWM 控制电路，实现精确的速度和扭矩控制。
　　此外，该 MOSFET 适用于逆变器系统，如 UPS（不间断电源）和太阳能逆变器，用于将直流电转换为交流电，提供稳定的电力输出。在 DC-DC 转换器中，IXFN29N90 可作为功率开关，用于升压或降压变换，广泛应用于电信电源和电动汽车充电系统。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，IXFN29N90 也常用于工业自动化设备、电焊机、电镀电源和高频感应加热等应用中，满足对功率和稳定性的高要求。

IXFH29N90, IRFP460LC, STF9NK90Z, FDPF90N30