时间：2025/8/6 8:45:06
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IXFN24N90Q 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场景。这款 MOSFET 的最大漏极-源极电压（VDS）为 900V，能够承受较高的工作电压，适合用于电源转换、工业电机控制和电力电子系统等领域。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。
型号: IXFN24N90Q
类型: N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极-源极电压 (VDS): 900V
最大栅极-源极电压 (VGS): ±30V
最大连续漏极电流 (ID): 24A
最大功率耗散 (PD): 200W
导通电阻 (RDS(on)): 0.35Ω（典型值）
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
封装类型: TO-247AC
IXFN24N90Q 具有多个显著的技术特性，使其在高功率应用中表现优异。
首先，该器件的最大漏极-源极电压（VDS）为 900V，这意味着它可以应用于高电压电源转换系统，如开关电源（SMPS）、逆变器和不间断电源（UPS）等。其高耐压能力可以有效减少电路设计中的电压应力问题，提高系统的可靠性。
其次，IXFN24N90Q 的导通电阻（RDS(on)）典型值为 0.35Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下功耗较小，从而提高了系统的整体效率。此外，低 RDS(on) 还有助于减少热量的产生，延长器件的使用寿命。
该 MOSFET 的最大连续漏极电流（ID）为 24A，适用于需要较高电流能力的应用场景。其高电流承受能力使其适合用于电机驱动、DC-DC 转换器以及功率放大器等电路中。
IXFN24N90Q 采用了 TO-247AC 封装，这种封装形式具有良好的散热性能，有助于将热量从芯片传导到外部散热器，从而提高器件的热稳定性。此外，该封装形式也便于安装和焊接，适合用于高功率密度的设计。
最后，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于广泛的工业环境。其良好的热稳定性使得 IXFN24N90Q 在高温条件下仍能保持稳定的工作性能。
IXFN24N90Q 广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于：
1. **开关电源（SMPS）**：由于其高耐压和低导通电阻特性，IXFN24N90Q 常被用于高频开关电源中的主开关元件，提高转换效率并减少热量损耗。
2. **逆变器**：在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，该 MOSFET 可用于 DC-AC 转换电路，提供高效的功率输出。
3. **电机驱动和变频器**：该器件的高电流能力和快速开关特性使其适用于工业电机控制和变频调速系统，确保电机运行的稳定性和效率。
4. **DC-DC 转换器**：在高电压输入的 DC-DC 转换器中，IXFN24N90Q 可作为主开关元件，实现高效的电压转换。
5. **工业自动化设备**：在需要高功率开关的自动化设备中，例如机器人控制系统和工业电源模块，IXFN24N90Q 提供了可靠的功率控制解决方案。
IXFH24N90Q, IRFP460LC, STF9NM60ND, FQA24N90C
