时间：2025/8/22 14:19:04
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IXFN180N25是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高电压的应用场景。该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的热稳定性和导通性能。这款MOSFET广泛应用于工业电机控制、电源转换器、逆变器以及电动汽车充电系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：250V
漏极电流（ID）：180A
栅极阈值电压（VGS(th)）：4.5V @ 250μA
导通电阻（RDS(on)）：0.016Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：350W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-264
IXFN180N25 MOSFET具备出色的导通性能和较低的导通损耗，这得益于其极低的RDS(on)值（0.016Ω）。该器件采用了先进的平面制造工艺，确保了优异的热稳定性和可靠性，使其能够在高负载条件下长时间运行。
此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力（180A），适合用于需要高功率密度的设计。其TO-264封装形式不仅提供了良好的散热性能，还能有效减少电路板上的空间占用，便于安装和维护。
该器件的栅极阈值电压为4.5V，可在标准逻辑电平下驱动，兼容多种控制电路，降低了外围驱动电路的设计复杂度。同时，其最大功率耗散达到350W，能够满足高功率应用的需求。
在热管理和安全性方面，IXFN180N25具备较高的工作温度上限（+175°C），能够在高温环境下稳定运行，并具有较强的抗热冲击能力。这使其非常适合在工业控制、电源管理以及电动汽车充电系统等高温环境中使用。
IXFN180N25 MOSFET适用于多种高功率应用场景，包括但不限于工业电机驱动器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、逆变器以及电动汽车的充电和能量管理系统。它也常用于太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）和高频电源转换设备中。
在电机控制应用中，该器件能够提供稳定的高电流输出，支持精确的速度和扭矩控制。在电源转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高能效，降低系统发热量。
在新能源领域，例如电动汽车和太阳能系统中，IXFN180N25能够承受较大的电流波动，并保持良好的稳定性，确保系统的长期可靠运行。此外，由于其具备良好的热性能和高功率处理能力，该器件也适用于紧凑型高功率模块设计，为现代电子设备提供高效、稳定的功率解决方案。
IXFH180N25T4, IXFN200N25T, IXFH200N25T, STY180N25K5
