时间：2025/8/6 12:38:53
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IXFN180N20是一款由Littelfuse（前身为IXYS Corporation）制造的N沟道增强型功率MOSFET，设计用于高功率、高频应用。该MOSFET采用先进的技术，具备高电流能力和低导通电阻，适用于电源转换、电机控制、工业自动化以及可再生能源系统等领域。该器件封装在TO-263（D2Pak）表面贴装封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：200V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A
导通电阻（RDS(on)）：最大为5.8mΩ（典型值4.8mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
IXFN180N20具有多项高性能特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力（180A）使其适用于大功率应用，如直流电源转换器和电机驱动器。
此外，该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，优化了开关性能，从而降低了开关损耗，适用于高频操作环境。其±20V的栅极电压容限提高了在高动态电压环境中的可靠性，避免栅极氧化层击穿。
TO-263（D2Pak）封装不仅提供了良好的热管理能力，而且支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。该封装还具备优良的机械稳定性和电气绝缘性能。
该MOSFET的宽工作温度范围（-55°C至175°C）确保其在极端环境条件下仍能保持稳定运行，适用于工业、汽车及户外设备等严苛应用场景。
IXFN180N20广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
1. 直流-直流（DC-DC）转换器：如升压、降压及反相拓扑结构，用于电信、服务器电源及工业设备。
2. 电机控制与驱动器：适用于高性能电机控制系统，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服控制系统。
3. 逆变器与电源管理系统：包括太阳能逆变器、储能系统及不间断电源（UPS）等。
4. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、电动工具及储能设备中的高效率充放电控制。
5. 工业自动化设备：如PLC、变频器及自动化控制系统中的高功率开关元件。
IXFH180N20P, IXFN160N20, IXFN200N20
