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IXFN170N65X2 发布时间 时间:2025/8/6 6:55:03 查看 阅读:14

IXFN170N65X2 是一款由 Littelfuse(原IXYS)生产的高功率 N 沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压、高电流的电力电子应用。该器件具有低导通电阻、高雪崩能量承受能力和优良的热稳定性,适用于电源转换、电机控制、工业自动化、可再生能源系统等领域。IXFN170N65X2 采用 TO-264 封装,便于散热和高功率密度设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):170A(Tc=25℃)
  功耗(Pd):350W
  导通电阻(Rds(on)):≤4.7mΩ
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-264

特性

IXFN170N65X2 具备优异的导通性能和开关性能,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET采用先进的平面硅工艺制造,具备高耐压能力和良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠工作。
  此外,该器件具有较高的雪崩能量承受能力,能够有效防止因电压尖峰导致的器件损坏,提高了系统的鲁棒性。IXFN170N65X2 的 TO-264 封装设计支持良好的散热性能,适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。
  该MOSFET还具备快速恢复体二极管,适用于高频开关电路。其栅极驱动特性较为稳定,能够在宽范围的栅极电压下保持良好的导通性能,适用于多种控制策略,如PWM控制和ZVS软开关技术。

应用

IXFN170N65X2 主要用于需要高电压和大电流能力的电力电子系统,如DC-DC变换器、AC-DC整流器、逆变器、UPS不间断电源、电动车辆驱动系统、太阳能逆变器、工业电机控制和高频开关电源等。
  在电动汽车和储能系统中,该MOSFET可作为主功率开关使用,具备高效率和高可靠性的优势。在工业自动化设备中,IXFN170N65X2 可用于驱动大功率负载,如伺服电机和电磁阀等。此外,该器件也适用于高功率LED照明驱动、电焊机和高频感应加热设备等应用。

替代型号

IXFN180N65X2, IXFN160N65X2

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IXFN170N65X2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥421.82000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)170A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13 毫欧 @ 85A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)434 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)27000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1170W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 供应商器件封装SOT-227B
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC