IXFN170N65X2 是一款由 Littelfuse(原IXYS)生产的高功率 N 沟道增强型功率MOSFET,主要用于高电压、高电流的电力电子应用。该器件具有低导通电阻、高雪崩能量承受能力和优良的热稳定性,适用于电源转换、电机控制、工业自动化、可再生能源系统等领域。IXFN170N65X2 采用 TO-264 封装,便于散热和高功率密度设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):650V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):170A(Tc=25℃)
功耗(Pd):350W
导通电阻(Rds(on)):≤4.7mΩ
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-264
IXFN170N65X2 具备优异的导通性能和开关性能,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET采用先进的平面硅工艺制造,具备高耐压能力和良好的热稳定性,确保在高温环境下仍能可靠工作。
此外,该器件具有较高的雪崩能量承受能力,能够有效防止因电压尖峰导致的器件损坏,提高了系统的鲁棒性。IXFN170N65X2 的 TO-264 封装设计支持良好的散热性能,适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。
该MOSFET还具备快速恢复体二极管,适用于高频开关电路。其栅极驱动特性较为稳定,能够在宽范围的栅极电压下保持良好的导通性能,适用于多种控制策略,如PWM控制和ZVS软开关技术。
IXFN170N65X2 主要用于需要高电压和大电流能力的电力电子系统,如DC-DC变换器、AC-DC整流器、逆变器、UPS不间断电源、电动车辆驱动系统、太阳能逆变器、工业电机控制和高频开关电源等。
在电动汽车和储能系统中,该MOSFET可作为主功率开关使用,具备高效率和高可靠性的优势。在工业自动化设备中,IXFN170N65X2 可用于驱动大功率负载,如伺服电机和电磁阀等。此外,该器件也适用于高功率LED照明驱动、电焊机和高频感应加热设备等应用。
IXFN180N65X2, IXFN160N65X2