时间：2025/8/5 23:24:36
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IXFN16N100是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力，适用于高要求的电力电子应用。其主要设计用于高效能电源转换系统，如DC-DC转换器、电机控制、UPS系统和电源管理设备。IXFN16N100采用了先进的制造工艺，确保了在高电压和高电流条件下稳定运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：1000V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
最大导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXFN16N100的主要特性包括其高耐压能力，能够承受高达1000V的漏极-源极电压，这使得它适用于高电压输入的功率转换系统。其低导通电阻（Rds(on)）在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，满足工业级和高可靠性应用的需求。
该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度和效率。其栅极驱动电压范围宽，支持标准的10V至20V驱动电压，便于与各种驱动电路兼容。IXFN16N100的内部结构优化，减少了寄生电容，从而降低了高频开关应用中的电磁干扰（EMI）。
在保护方面，IXFN16N100具备过热保护和过流保护能力，能够在极端工作条件下防止器件损坏，提高系统的稳定性和寿命。此外，其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中有效散热。
IXFN16N100广泛应用于高功率电源转换设备，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、不间断电源（UPS）、电机驱动系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件也被用于高效的能量转换。此外，它还适用于高频开关电源、LED照明驱动器以及高电压电池管理系统（BMS）等应用领域。
IXFN16N100P、IXFN18N100、IXFH16N100
