类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.36Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

IXFN14N60 的主要特性之一是其高电压能力，能够承受高达 600V 的漏源电压，这使得它非常适合用于高压电源转换器和电机控制应用。其导通电阻 RDS(on) 最大为 0.36Ω，在高压 MOSFET 中属于较低水平，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具有良好的热性能和高功率耗散能力，TO-247 封装提供了较大的散热面积，有助于在高负载条件下维持稳定的运行温度。该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，提高系统的可靠性和耐用性。
　　IXFN14N60 的栅极阈值电压范围为 2.1V 至 4.0V，允许使用标准的驱动电路进行控制。该器件在高频开关应用中表现出色，适用于需要快速开关性能的电源拓扑结构，如谐振变换器和软开关电路。此外，其低输入电容和反向传输电容也有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　该 MOSFET 还具有良好的抗短路能力，在短时间内的过载条件下能够维持正常工作，避免因瞬态故障导致器件损坏。这种特性使其在工业电机驱动、不间断电源（UPS）和高功率 LED 驱动器等应用中具有较高的实用价值。

IXFN14N60 常用于各种高电压和高功率电子系统中，尤其是在开关电源（SMPS）中作为主开关器件使用。例如，在反激式或正激式变换器中，该 MOSFET 可以提供高效的能量转换，降低系统损耗。它也广泛应用于 DC-DC 转换器中，特别是在需要高输入电压的工业电源系统中。
　　在电机控制领域，IXFN14N60 可用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、伺服电机控制器和变频器中，作为功率开关元件。其高耐压能力和良好的导通特性使其能够在高电压电机驱动中提供稳定可靠的性能。
　　此外，该器件还适用于照明系统，如高功率 LED 驱动器和 HID（高强度放电）灯镇流器。由于其具备较高的雪崩能量耐受能力，IXFN14N60 在这些应用中能够承受瞬态电压波动，确保系统的长期稳定运行。
　　在工业自动化和控制系统中，IXFN14N60 也常用于功率因数校正（PFC）电路，以提高电源的效率和稳定性。其快速开关特性和低导通电阻使其成为这类高频率、高效率应用的理想选择。

STP14N60M5, FQP14N60C, IRFP460LC