时间：2025/8/6 0:23:19
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IXFN12N100F是一款由Littelfuse公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于需要高电压和高电流能力的电源开关应用。这款MOSFET具备100V的漏极-源极电压（VDSS），最大漏极电流可达12A，使其适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理及负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDSS）：100V
最大漏极电流（ID）：12A
栅极-源极电压（VGSS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.25Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C至+175°C
IXFN12N100F的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率；高耐压能力，可承受高达100V的电压；适合用于高频率开关应用，具有较低的开关损耗。此外，该器件采用TO-220封装，便于散热，并且具备良好的热稳定性。其增强型设计确保了在不同工作条件下都能可靠运行。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在+4V至+20V之间工作，兼容多种驱动电路。同时，其内部结构优化，降低了寄生电感，提高了开关性能。IXFN12N100F还具备较强的抗过载和短路能力，适合工业和汽车电子中对可靠性要求较高的场景。
IXFN12N100F广泛应用于各种电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。它也适用于电池供电设备中的高效电源转换系统，以及工业自动化和通信设备中的功率开关应用。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、电动工具和电动汽车中的功率控制模块。
IXTH12N100F, FDPF12N100FD
