时间：2025/8/6 4:00:02
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IXFN120N10 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下提供高效能和低导通电阻。IXFN120N10 主要用于 DC-DC 转换器、电源管理系统、电机控制以及工业自动化设备等应用领域。该 MOSFET 采用 TO-247 封装形式，具备良好的热管理和高可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：最大 7.5mΩ（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXFN120N10 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够实现最小的功率损耗。该器件的高电流容量和耐压能力使其非常适合用于高功率密度设计。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽广，允许使用标准的 10V 驱动电路，兼容大多数 MOSFET 驱动 IC。该器件还具有快速开关特性，减少开关损耗，提高系统效率。
IXFN120N10 的内部结构优化，降低了寄生电感和电容，有助于减少电磁干扰（EMI）。该 MOSFET 在高温下仍能保持良好的性能，适合用于需要高可靠性和长寿命的工业应用。此外，其坚固的封装设计能够承受机械应力，适用于振动和冲击较大的环境。该器件还具有过热保护能力，防止在极端工作条件下发生损坏。
IXFN120N10 主要用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。由于其高电流和高电压能力，该 MOSFET 特别适合用于需要高效能和高可靠性的应用场合。此外，该器件也常用于电源管理模块和功率因数校正（PFC）电路中，以提高系统整体效率。
IXFN120N10T4、IXFN120N10PBF、IXFN120N10S、IXFN120N10TA、IXFN120N10TD2
