时间：2025/8/6 0:50:14
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IXFN10N100是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有较高的功率处理能力和优异的开关特性。该器件广泛应用于电源转换器、电机控制、逆变器和各种高功率电子设备中。其封装形式为TO-247，便于散热，适用于高电流和高电压的工作环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1000V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：10A
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXFN10N100 MOSFET具备多项优良的电气和物理特性。首先，它拥有高达1000V的漏源击穿电压（VDS），能够承受高电压应力，适用于高压功率转换应用。其次，该器件的最大连续漏极电流为10A，足以支持中等功率级别的电流需求。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，为±30V，允许使用多种驱动电路进行控制。
在热性能方面，IXFN10N100采用TO-247封装，具有良好的散热能力，确保在高功率工作条件下仍能维持稳定运行。该器件还具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。同时，其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，IXFN10N100具有较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合工业级和汽车级应用需求。由于采用了先进的硅技术，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，从而提高了整体系统的安全性和稳定性。
IXFN10N100适用于多种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊设备以及工业自动化控制系统。其高电压耐受能力和良好的导热性能使其成为高压电源管理和功率控制领域的理想选择。在电机控制应用中，该器件可用于实现高效能的H桥驱动电路；在逆变器设计中，它可用于直流到交流的高效能量转换。此外，该MOSFET也适用于高电压缓冲电路和高频功率放大器设计。
STF10N100, FQA10N100, IRFP460, IXFN12N100
