时间：2025/8/5 19:23:01
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IXFN102N30是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件具有较高的电流容量和较低的导通电阻，适合用于电源转换器、电机驱动器和各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：102A
最大漏极-源极电压（VDS）：300V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值0.045Ω
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFN102N30具有低导通电阻，可减少功率损耗并提高系统效率。其高电流容量使其适用于需要大功率输出的应用，如DC-DC转换器、电机控制器和电源管理系统。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作。
这款MOSFET采用了先进的平面技术，提供了卓越的开关性能，减少了开关损耗。其高dv/dt能力增强了器件的抗干扰能力，提高了系统的可靠性。此外，TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件的长期稳定性。
IXFN102N30还具有较低的输入电容，使得驱动电路更容易设计，并减少了开关过程中的延迟。其高耐压能力确保了在高压应用中的稳定运行。这些特性使得该器件成为工业电源、电机驱动和可再生能源系统中的理想选择。
IXFN102N30广泛应用于各种高功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）以及可再生能源系统如太阳能逆变器。此外，它也可用于音频放大器和电子负载等应用。
IXFH102N30, IXFN102N30PBF, IXFN102N30Q
