时间：2025/8/5 18:40:18
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IXFN10050P是一款由IXYS公司推出的功率MOSFET器件，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于高功率开关电路中，如电源转换器、电机驱动、逆变器、工业控制系统等领域。IXFN10050P采用TO-263封装，是一种表面贴装型功率晶体管，具备良好的散热性能和较高的可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：10A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.55Ω
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
IXFN10050P具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于高频开关电源应用。其先进的沟槽式MOSFET结构有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作，增强了系统的可靠性和耐用性。
在封装方面，TO-263封装提供了良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用，同时支持自动化生产流程。IXFN10050P还具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下维持较低的温升，避免因过热导致的性能下降或损坏。
该MOSFET还具有较高的输入阻抗，使其在驱动电路设计上较为简单，适用于多种驱动方式。同时，其栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，适合与常见的驱动IC配合使用。
IXFN10050P常用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、UPS不间断电源、电机驱动电路、LED照明电源、工业自动化控制设备以及太阳能逆变器等。由于其具备较高的电压和电流承受能力，特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
IXFN10050P的替代型号包括：STP10NM50N、IRFGB50B、FDPF10N50、SiHP10N50EDS
