IXFM13N80 时间：2025/8/5 21:08:56 阅读：9

IXFM13N80 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高功率 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这款晶体管适用于需要高效率、高耐压和大电流的电源管理应用，例如电源供应器、DC-DC 转换器、电机控制和工业自动化系统。IXFM13N80 的最大漏极-源极电压（VDS）为 800V，连续漏极电流（ID）为 13A，支持快速开关性能，适用于高频操作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极-源极电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：13A
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.55Ω（在 VGS=10V 时）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值为 4.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值为 1500pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值为 35ns

特性

IXFM13N80 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现卓越。首先，其高耐压能力（800V VDS）使其适用于高电压系统，例如离线式电源转换器。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为 0.55Ω，从而降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，IXFM13N80 支持高达 ±30V 的栅极电压，增强了其在不同驱动条件下的适用性。其高功率耗散能力（200W）确保了在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件的 TO-247 封装形式具有良好的散热性能，适合在高温环境中使用。另外，其输入电容较小，有助于减少开关损耗，提高开关速度。IXFM13N80 还具有较低的反向恢复时间（35ns），使其在高频开关应用中表现出色。最后，该器件的工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），适应性强，适用于各种恶劣环境条件。

应用

IXFM13N80 主要应用于需要高电压和高功率处理能力的场合。例如，在电源供应器中，它可用于实现高效率的 DC-DC 转换和 AC-DC 转换。在电机控制应用中，IXFM13N80 可用于驱动大功率电机，并提供快速响应和高效能。在工业自动化系统中，它可以作为功率开关，用于控制各种负载设备。此外，该器件还适用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电池充电器和电焊设备等高功率应用。在消费类电子产品中，如高端电源管理模块和高性能 LED 照明系统，IXFM13N80 也可用于实现高效能转换和调节。其高频开关能力和低导通电阻也使其成为射频功率放大器和其他高频应用的理想选择。