时间：2025/8/6 0:14:15
阅读：10
IXFK90N60X 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高功率密度的应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压特性，适用于电源转换器、电机控制、逆变器和各种工业应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：90A
最大漏极-源极电压 (VDS)：600V
导通电阻 (RDS(on))：最大值 0.15Ω
栅极-源极电压 (VGS)：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247AC
IXFK90N60X 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高耐压能力（600V）使其非常适合用于高电压应用。
该 MOSFET 采用 TO-247AC 封装，具备良好的热管理和散热性能，能够在高功率条件下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 至 15V 驱动电压，方便与各种驱动电路配合使用。
此外，IXFK90N60X 具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，提高了在极端条件下的可靠性。
IXFK90N60X 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：电源供应器（如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器）、电机驱动器、UPS（不间断电源）、逆变器（如太阳能逆变器、工业逆变器）、工业自动化设备和高功率 LED 驱动器等。
由于其高耐压和大电流能力，该 MOSFET 在电动汽车充电系统、储能系统和工业控制领域也有广泛应用。在这些应用中，IXFK90N60X 能够提供高效、可靠的功率开关功能，确保系统稳定运行。
在设计中，该器件通常与合适的栅极驱动电路、散热器以及过流、过压保护电路配合使用，以确保最佳性能和长期稳定性。
IXFH90N60P2, IXFP90N60Q2
