时间：2025/8/5 21:52:51
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IXFK90N20QS是一款由IXYS公司生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和优异的热性能，适合在电源转换、电机控制和逆变器等应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDS）：200V
最大连续漏极电流（ID）：90A
导通电阻（RDS(on)）：最大值18mΩ
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
IXFK90N20QS具备多个显著特性，使其成为高功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件的高电流承载能力（90A）确保了在大功率负载下稳定运行。此外，IXFK90N20QS采用了先进的平面技术，提供了卓越的热管理和可靠性，使其能够在高温环境下正常工作。其TO-247封装设计不仅便于散热，还简化了PCB布局和安装过程。另外，该MOSFET具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外围电路的尺寸和重量，特别适用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器等高频应用。IXFK90N20QS还具备高抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压和过电流冲击，增强了系统的稳定性与安全性。
IXFK90N20QS广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动和逆变器系统。在工业自动化和电动汽车充电系统中，该MOSFET可以作为主开关元件，提供高效、稳定的功率控制。此外，它也适用于太阳能逆变器和储能系统，用于高效转换和管理电能。在消费类电子产品中，IXFK90N20QS可用于高功率LED照明驱动电路，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
IXFK85N20QS, IXFH90N20QS, IRFP4668
