时间：2025/8/5 13:42:05
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IXFK90N20D是一款由IXYS公司制造的高功率场效应晶体管（MOSFET），专为高电流、高电压的应用设计。该器件采用TO-247封装，具有良好的热性能和高耐用性，适用于工业电源、逆变器和电动机控制等高要求的应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
漏极电流（Id）：90A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.016Ω
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：TO-247
IXFK90N20D的主要特性包括低导通电阻，可减少功率损耗并提高效率；高电流承载能力，适合高功率应用；同时具备良好的热稳定性，能够承受严苛的工作环境。此外，该器件采用了先进的平面技术，提供更高的可靠性和较长的使用寿命。
在设计上，IXFK90N20D还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，这对于高频应用至关重要。其TO-247封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
IXFK90N20D广泛应用于工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电动机驱动器以及各种高功率电子设备中。其高电流和高电压特性使其成为需要高效能功率转换和控制的理想选择。
IRF3205, STP90NF20
