类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：200V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：80A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 23mΩ
　　功率耗散 Pd：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　输入电容 Ciss：3200pF
　　开启阈值电压 Vgs(th)：2V 至 4V
　　反向恢复时间 trr：45ns

IXFK80N20S 的主要优势在于其出色的导通性能和开关特性，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。
　　其低导通电阻（Rds(on)）在高温下仍能保持稳定，有助于减少功率损耗并提高系统的热稳定性。
　　该器件采用先进的沟槽栅技术，提供了优异的开关速度和低栅极电荷（Qg），适合高频开关应用。
　　此外，IXFK80N20S 具有良好的热性能，能够承受较高的工作温度，适用于紧凑型设计和高温环境下的应用。
　　由于其 TO-247 封装具备良好的散热能力，该 MOSFET 可广泛用于需要高可靠性和高稳定性的工业电源和电机控制领域。
　　它还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定工作，适合用于保护电路设计中。

IXFK80N20S 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：工业电源、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、电焊设备、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电源管理系统（PMS）等。
　　在这些应用中，IXFK80N20S 可以作为主开关器件，用于实现高效的能量转换和管理。
　　其高频开关能力使其适用于谐振变换器、ZVS（零电压开关）拓扑结构等先进功率转换技术。
　　在电机驱动系统中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构中的功率开关，提供快速响应和高效控制。
　　此外，该器件也适用于各类大功率负载开关电路，如加热元件控制、电感负载驱动等。

IXFK80N20T, IRF3808, IRFP4468, FDP80N20, STP80N20F7