时间：2025/8/6 12:08:07
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IXFK78N50P3 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高功率、高效率的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适合用于诸如开关电源、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：78A
最大漏-源电压 (VDS)：500V
最大栅-源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：0.135Ω（典型值）
栅极电荷 (Qg)：140nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247AC
IXFK78N50P3 MOSFET 采用先进的沟槽式结构设计，使其在高压工作条件下依然具备出色的导通性能和开关效率。该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，从而提升整体系统效率。此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性和耐用性，适用于在高温环境下运行的应用。其高栅极电荷特性确保了在高频开关应用中依然具备良好的控制能力，减少了开关损耗。
该器件还具备出色的短路耐受能力，能够在极端工况下提供更高的系统稳定性。TO-247AC 封装设计有助于提升散热性能，适合安装在高功率密度的电路板上。此外，IXFK78N50P3 的栅极驱动电压范围宽泛，通常可在 10V 至 20V 之间工作，兼容多种驱动电路设计。
IXFK78N50P3 主要用于需要高功率处理能力和高效率的电子系统中，包括但不限于：工业开关电源、DC-DC 升压/降压转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、照明控制系统、电池管理系统以及太阳能逆变器等应用。该器件的高可靠性和高热稳定性也使其适用于要求严苛的工业自动化设备和电力电子系统。
IXFH78N50P3, FCP78N50, SPW78N50C3, IRFP460LC
