IXFK73N30 时间：2025/12/29 14:15:19 阅读：24

IXFK73N30 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制等高功率场合。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能，适合需要高效能和高可靠性的设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：300V
　　连续漏极电流（ID）@ TC=25℃：73A
　　漏极电流（ID）@ TC=100℃：49A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 55mΩ @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V @ ID=250μA
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

IXFK73N30 具有多个优异的电气和热性能特点，确保其在高功率应用中稳定运行。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）最大为 55mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。对于需要高效率的电源设计来说，这是一个关键优势。
　　其次，该 MOSFET 的漏源耐压（VDS）为 300V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率变换器和逆变器应用。
　　此外，该器件的连续漏极电流在 25℃时可达 73A，即使在较高温度（100℃）下仍能提供 49A 的电流能力，表明其具备良好的热稳定性。
　　IXFK73N30 的栅极阈值电压范围为 2.0V 至 4.0V，使其能够与常见的驱动电路兼容，便于设计和使用。
　　该器件采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率密度应用中的可靠性。
　　其工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃，显示出良好的环境适应性和高温工作能力。
　　综上所述，IXFK73N30 是一款适用于多种高功率、高效率应用的高性能功率 MOSFET。

应用

IXFK73N30 被广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关器件，用于提高转换效率和减小系统尺寸。
　　? DC-DC 转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）转换器，以实现高效的能量转换。
　　? 不间断电源（UPS）和逆变器系统，用于将直流电源转换为交流电源，适用于工业和家庭应用。
　　? 电机驱动和控制电路，尤其是在需要高电流和高效率的工业自动化系统中。
　　? 太阳能逆变器和储能系统，用于提高可再生能源系统的效率和可靠性。
　　? 电动汽车充电系统和车载电源管理系统，以支持高功率电能转换需求。
　　由于其出色的电气特性和封装散热设计，IXFK73N30 成为多种高功率电子设备中的理想选择。