IXFK55N50 时间：2025/12/29 13:43:13 阅读：9

IXFK55N50是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压和高电流的应用设计，具备优异的导通特性和快速开关性能。它广泛应用于电源转换器、马达控制、电池管理系统和工业自动化设备等领域。IXFK55N50采用了TO-247封装形式，具备较高的散热能力，能够满足高功率密度的设计需求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：55A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.145Ω
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFK55N50具备多项优良特性，适用于各种高功率应用。首先，其漏源电压高达500V，能够承受较高的电压应力，确保器件在高压环境下的稳定运行。其次，连续漏极电流可达55A，使其能够处理较大的负载电流，满足高功率输出的需求。此外，导通电阻约为0.145Ω，较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。
　　IXFK55N50采用了先进的沟槽栅场效应技术，提供快速的开关速度和较低的开关损耗，有助于提高开关电源的工作频率。同时，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于安装和散热片连接，确保器件在高功率应用中保持较低的工作温度。
　　该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力和较强的短路耐受能力，能够在突发的高能量应力下保持稳定运行。这些特性使其非常适合用于电源适配器、DC-DC转换器、逆变器以及工业电机驱动等应用中。

应用

IXFK55N50广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。由于其高耐压、高电流和低导通电阻的特性，该器件在电源转换和功率控制方面表现出色。此外，IXFK55N50还可用于高功率LED驱动、工业自动化控制设备以及电动汽车充电系统等领域。