IXFK48N60P 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用 TO-247 封装,具备良好的散热性能,适用于工业电源、电机驱动、逆变器以及开关电源等应用。IXFK48N60P 的最大漏极-源极电压为 600V,最大连续漏极电流可达 48A,具备较低的导通电阻和较高的开关效率。
最大漏极-源极电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):48A
导通电阻(Rds(on)):0.115Ω
最大栅极-源极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-247
功率耗散(Pd):300W
IXFK48N60P 的核心特性之一是其高效的导通性能。由于其导通电阻仅为 0.115Ω,这使得在高电流流过时,产生的导通损耗相对较低,从而提高了整体系统的效率并减少了对散热器的要求。此外,该 MOSFET 采用了先进的平面技术,优化了开关性能,使其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗。
另一个关键特性是其坚固的结构设计,IXFK48N60P 能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,确保了在极端温度条件下的可靠性。此外,该器件的封装形式为 TO-247,具备良好的热管理和机械稳定性,有助于提高系统的长期运行可靠性。
此外,IXFK48N60P 具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流负载而不发生损坏,这对于在工业应用中防止意外故障导致的设备损坏非常重要。其栅极-源极电压范围为 ±20V,允许灵活的栅极驱动设计,从而简化了外围电路的设计。
IXFK48N60P 广泛应用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊设备以及工业自动化系统。在这些应用中,IXFK48N60P 能够提供高效的功率转换和稳定的性能,帮助系统实现更高的能效和更长的使用寿命。
例如,在开关电源中,IXFK48N60P 可用于主功率开关,负责将输入的直流或交流电压转换为高频信号,以实现高效的能量转换。在电机控制应用中,该 MOSFET 可用于 H 桥结构,控制电机的方向和速度。在逆变器中,它则用于将直流电源转换为交流输出,广泛应用于太阳能逆变器和电动车驱动系统。
IXFK50N60P, IRFPG50, FCP20N60