IXFK48N50 时间：2025/12/29 13:07:59 阅读：14

IXFK48N50 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用。该器件设计用于高效电源转换系统，如开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和 DC-DC 转换器等。IXFK48N50 具有低导通电阻、高耐压能力以及出色的热性能，适用于工业和汽车电子中的功率管理应用。

参数

最大漏极电流（ID）：48A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：500V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.145Ω（最大）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXFK48N50 的核心特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作条件下，导通损耗大大降低，从而提高了整体系统的效率。此外，该 MOSFET 支持高达 500V 的漏极-源极电压，能够适应高压应用场景的需求。
　　该器件采用了 IXYS 先进的高压 MOSFET 技术，具备出色的雪崩能量承受能力和短路耐受能力，从而增强了在严苛工作环境下的可靠性。同时，其 TO-247AC 封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性，便于安装在散热器上以实现高效散热。
　　IXFK48N50 的栅极驱动电压范围为 ±20V，使其兼容多种常见的驱动电路设计，同时具备良好的开关性能。该 MOSFET 在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗，适合用于高频率功率转换系统。此外，其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适用于高温和低温环境下的稳定运行。

应用

IXFK48N50 被广泛应用于各种高功率电子设备中，特别是在需要高效能和高可靠性的系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它被用于主功率开关，以提高转换效率并减小电源体积；在电机驱动和逆变器系统中，IXFK48N50 作为功率桥式开关，支持高效的交流电机控制；在太阳能逆变器和电动车充电系统中，该器件也常用于 DC-AC 和 DC-DC 转换模块，以实现高效率的能源转换。
　　此外，该 MOSFET 还适用于工业自动化设备中的功率控制单元，如变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等。由于其出色的热性能和高耐压特性，IXFK48N50 也常被用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等。