IXFK34N80 时间：2025/12/29 13:24:07 阅读：12

IXFK34N80 是一款由 Littelfuse（力特保险丝公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有高耐压能力、低导通电阻和出色的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和工业电源等场景。其封装形式为 TO-247，便于安装和散热。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800 V
　　最大漏极电流（Id）：34 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22 Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 5 V
　　最大功耗（Ptot）：200 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXFK34N80 是一款高性能的功率 MOSFET，具备出色的电气性能和热管理能力。其最大漏源电压达到 800 V，能够在高电压环境下稳定运行，适用于多种高压开关系统。该器件的导通电阻仅为 0.22 Ω，使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。此外，IXFK34N80 具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达 34 A，使其适用于高功率负载的应用场景。
　　在热性能方面，IXFK34N80 的 TO-247 封装设计有助于有效散热，提升器件在高负载条件下的稳定性。其最大功耗为 200 W，支持在高温环境下持续工作。该 MOSFET 的栅极阈值电压范围为 3 V 至 5 V，兼容常见的逻辑电平驱动电路，方便与微控制器或其他控制电路配合使用。
　　IXFK34N80 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提高系统的可靠性和安全性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升整体系统的响应速度。此外，该器件在高温下的导通电阻变化较小，确保在各种工作条件下保持稳定的性能。

应用

IXFK34N80 由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，广泛应用于多个高功率电子系统中。其典型应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、工业自动化设备以及不间断电源（UPS）。此外，它还可用于太阳能逆变器、电焊机和高功率 LED 照明控制系统中，满足对高效率和高可靠性的需求。